SK Hynix正在评估为其子公司Solidigm在美国建立一座潜在晶圆厂，以多元化存储和内存制造的地理分布。

据《首尔经济日报》报道，SK海力士子公司Solidigm正考虑在美国建设一座NAND闪存晶圆厂。这一动向与SK海力士近期对其美国人工智能合资企业的澄清相吻合，该合资企业现更名为SK Hynix Ventures运营。

Solidigm目前在中国大连的一座原英特尔工厂生产NAND芯片，该工厂现由SK海力士运营。该部门采用浮栅技术而非电荷捕获架构，且生产的3D NAND层数较少——为192层，而SK海力士及其他制造商则达到321层和375层。由于美国对华技术出口限制，Solidigm目前无法升级至最新的NAND工艺。今年8月有报道称，SK海力士正在大连扩建产能，通过建设第二座晶圆厂来增加产量，但将技术限制在100层级别，而将先进的375层NAND保留给其位于韩国清州的工厂。此外，业界本月猜测Solidigm可能会寻求在美国首次公开募股（IPO），若获批准，这将为其注入资金。

Solidigm已在加利福尼亚州兰乔科尔多瓦设有美国的销售、营销及研发设施。据路透社援引韩国行业消息人士称，该公司目前正在评估潜在选址，并就东海岸晶圆厂的条款进行谈判，地点可能位于纽约州北部。SK海力士发言人表示：“Solidigm正在审查各种选项以增强其竞争力，但目前尚未确定任何事项。”

此次拟议的扩张符合特朗普政府推动增加美国本土内存芯片制造的举措。SK海力士正投资约40亿美元（5.35万亿韩元）在西拉法叶（印第安纳州）建设高带宽内存（HBM）封装设施。董事长崔泰源指出，美国客户期望SK海力士在美国本土维持制造业务。此外，路透社及其他媒体曾报道，SK海力士有可能将部分DRAM生产外包给英特尔的美国工厂。得益于HBM和DRAM芯片带来的巨额利润，SK海力士致力于扩大HBM、DRAM和NAND的晶圆厂产能，以满足人工智能处理热潮带来的持续需求。行业分析师指出，全球范围内这三种芯片均存在持续短缺，崔泰源预计这种供需失衡将持续到2030年，届时供应和需求才可能最终趋于稳定。

为Solidigm建立美国设施将使该公司能够使用目前被限制用于大连业务的尖端NAND技术。然而，半导体制造在美国的成本高于韩国或中国的设施。从战略角度看，美国工厂将加强其与华盛顿的关系，并且通过与SK海力士保持一定距离的运营模式，可以缓解韩国政府对国内工业能力削弱的担忧。鉴于NAND对AI工作负载的重要性不及HBM和DRAM，这一安排得到了进一步支持。如前所述，Solidigm潜在的美国上市也有助于为该项目的融资提供支持。

与此同时，SK海力士已正式推出其企业风险投资部门SK Hynix Ventures，旨在深化在全球人工智能生态系统中的战略合作伙伴关系，并获取下一代技术。该公司最近在硅谷举办了首届“SK Hynix Ventures Day”，召集了风险资本家和初创企业代表。该倡议将重点关注AI计算、数据中心基础设施、系统软件以及光互连技术。此举紧随Solidigm今年3月进入AI计算机视觉市场之后。此前被称为AI Co的即将在美国运营的实体，将成为Solidigm美国业务的控股公司。依托SK海力士现有的企业投资框架，首席执行官郭鲁钟强调了这一战略转变：“在AI时代的竞争力不仅源于迅速获取创新技术，更源于客户、合作伙伴和初创企业共同创造新价值的生态系统能力。通过SK Hynix Ventures，我们将支持有前景的企业成长，并通过战略性投资和技术合作，成长为共同设计AI基础设施未来的全球合作伙伴。”