SK海力士CEO警告2027年将是内存有史最差年份；HBM和DRAM短缺预计持续至本十年之后

全球内存行业正为历史上最严重的短缺做准备，SK海力士CEO郭诺俊在接受采访时表示。在该公司纳斯达克上市纪念活动上，这位首席执行官警告称，2027年将带来业界历史上"最严重的"供应短缺，需求将远超产能，缺口将持续到2030年以后。

"我们预测明年将是业界历史上从供应角度看最糟糕的一年，"郭诺俊对路透社表示。SK海力士的展望与三星和美光的类似警告相一致。三星已将2027年标记为最严重的短缺年份，短缺状况将持续到2028年及以后。美光将当前短缺描述为仅仅是"第一局"，预测其只能满足未来年份内总市场需求的40%-50%，DRAM和NAND供应均保持紧张。

严重短缺源于AI客户需求的激增，加之与三大DRAM制造商产能相关的多年期供应协议。SK海力士、三星和美光已优先保障高端细分市场——特别是高带宽内存（HBM）和LPDDR5X——同时降低了商用内存层级（包括DDR5、DDR4和入门级LPDDR）的优先级。虽然该策略提升了这些供应商的利润，但对消费者市场造成了严重打击，推高了PC、智能手机、游戏机及其他平台的价格。

供应失衡为中国芯片制造商开拓了国内市场扩张的机遇。主要DRAM和NAND生产商长鑫存储和长江存储正将产能翻倍以服务中国客户。作为回应，SK海力士与三星、美光一起正在执行数十亿美元级、跨年度的产能扩张计划，包括在韩国建设新的制造设施，并在美国、日本和东南亚考虑建设额外晶圆厂。美光已开始建设新的DRAM生产设施。