SK hynix在印第安纳州动工建设一座耗资40亿美元的AI内存先进封装中心，目标于2029年实现量产。

SK海力士公司（SK Hynix Inc.）周四在印第安纳州西拉法叶举行了奠基仪式，为其在美国的首座先进高带宽内存（HBM）封装设施动工。该项目价值超过40亿美元，占地133.5英亩，位于普渡研究园（Purdue Research Park）。此举使这家韩国芯片制造商更贴近美国的人工智能客户，并进一步将关键的半导体供应链扎根于美国本土。洁净室运营计划于2028年10月前启动，下一代HBM产品的量产目标定于2029年下半年。

该设施全面投产后，预计将雇佣约1,000名员工。在建设、运营及相关供应链投资方面，该项目预计将在当地创造约7,000个直接与间接就业岗位。在韩国制造的晶圆将被运往印第安纳州进行先进封装和测试，随后交付给美国客户。为支持这一生态系统，SK海力士目前正在评估超过100家潜在的材料、零部件和半导体设备供应商，这一过程预计将进一步吸引当地投资，并促进更完整的区域半导体产业集群的形成。

首席执行官郭诺钟（Kwak Noh-Jung）在仪式上表示：“我们将扩大在美国的投资与合作，共同成长，成为塑造美国人工智能未来的最值得信赖的合作伙伴。”除了生产线外，该场地还将设立一个人工智能半导体研发设施。SK海力士还与附近的普渡大学签署了一项涵盖HBM、系统整合及先进封装技术的研发协议。该公司计划在制造线旁建设一个先进封装研发测试平台，将大规模生产与下一代半导体研究联系起来。

印第安纳州项目得到了《美国芯片与科学法案》（CHIPS and Science Act）的支持，该法案于2022年签署成为法律，旨在减少美国对海外半导体生产的依赖。根据该计划，SK海力士有资格获得高达4.58亿美元的直接赠款和高达5亿美元贷款，潜在政府资金总额达9.58亿美元。这一拨款反映了该项目作为封装和研发设施的较窄范围，而非完整的晶圆制造厂。相比之下，美国商务部单独向台湾积体电路制造公司（TSMC）授予了高达66亿美元的亚利桑那州工厂资助，向美光科技（Micron Technology）授予了高达61.65亿美元的纽约和爱达荷州内存工厂资助，并向三星电子（Samsung Electronics）授予了高达47.45亿美元的德州逻辑芯片工厂资助——后者在尽职调查审查后从最初提议的64亿美元下调。

该公司最初于2024年宣布与印第安纳州官员、普渡大学及美国政府代表达成一项38.7亿美元的投资协议；此后总投资额已超过40亿美元。HBM已成为英伟达公司（Nvidia Corp. (NVDA)）及其他芯片设计公司的先进AI加速系统中不可或缺的组件。通过垂直堆叠DRAM芯片以实现更快的数据传输并降低功耗，HBM非常适合大型AI模型巨大的计算需求。与传统内存不同，HBM芯片与AI处理器紧密集成，提高了技术进入壁垒，并使供应商拥有更强的定价权。在产品经历行业近期低迷之后，该产品已成为内存制造商的主要增长驱动力。

据Counterpoint Research数据，SK海力士在2026年第一季度占据了全球HBM收入的58%，显著领先于各占21%市场份额的三星电子（Samsung Electronics Co.）和美光科技（Micron Technology Inc.）。随着科技公司竞相建设AI数据中心，对HBM和其他先进内存的需求激增，供应收紧，使得内存可用性成为AI基础设施扩张中日益关键的限制因素。SK海力士的主要客户英伟达周三预测，其下一财年收入将增长70%。据LSEG数据，这一展望——即英伟达首次做出的年度销售预测——远超华尔街分析师预期的约44%平均增长率，凸显了尽管存在持续的内存短缺，但对AI计算的未减需求。

此次印第安纳州投资的意义超越了单纯的制造产能。随着传统制程节点缩小的难度日益增加，先进封装——即将多个芯片集成到单个封装中或垂直堆叠——已成为提升AI芯片性能的关键途径。美国在这一供应链环节历史上处于滞后状态，而SK海力士决定建立国内封装和测试能力，将部分AI芯片供应链转移到了美国本土。

此外，SK海力士是韩国市值第二高的公司，仅次于三星电子。本月早些时候，其董事会批准了至2031年约54.3万亿韩元（383.00亿美元）的投资计划，其中包括35.2万亿韩元用于其在韩国芯片制造工厂的第二期建设。此外，母公司SK集团宣布将为曾在美国驻韩部队服役的美国退伍军人提供就业机会和职业发展机会。