Tesla와 SpaceX의 Terafab은 2032년 이후 월 100만 장의 웨이퍼 생산에 도달할 계획인 것으로 전해졌으며, 이 중 약 70만 장은 메모리용이다.

일론 머스크의 합작 회사인 테라팹(Terafab)은 테슬라와 스페이스X의 합작으로, 2032년 이후 월 100만 장의 웨이퍼를 생산하려 한다는 뜻을 장비 업체들에 비공식적으로 전했다고 *Financial News*가 보도했다. 이 생산량의 약 70%, 즉 70만 장은 메모리용으로, 30만 장 이상은 로직 칩용으로 계획되어 있다. 테라팹의 조달팀은 이미 일본을 방문해 일부 현지 장비 업체에 수개월 내 납품을 요청했다.

메모리 물량만 놓고 보면, 그것이 전부 DRAM이라고 가정할 경우 삼성전자의 추정 DRAM 생산 능력과 맞먹는 규모다.

삼성전자의 DRAM 생산 능력은 작년 기준 월 65만~70만 장으로 추정되었다. SK하이닉스는 약 55만 장 수준으로 알려져 있으며, 2030년까지 약 100만 장을 목표로 하고 있다. 다만 이 비교에는 맥락이 필요하다. 테라팹의 70만 장은 DRAM이든 NAND든 예상되는 메모리 생산량 전체를 포함하는 반면, 삼성과 SK하이닉스 수치는 DRAM만을 대상으로 한다. 그럼에도 메모리 부분만으로도 중국 우시(Wuxi) 공장의 월 20만 장 생산량의 3.5배에 이른다.

지난 3월 머스크가 계획을 발표했을 때 업계에서는 회의적인 시각이 많았지만, 주문이 이어지면서 이제는 더 많은 기업이 실질적인 사업 기회로 보기 시작했다. 첨단 로직 팹에서 계획 단계부터 양산까지 가는 데는 보통 3년 이상이 걸리기 때문에 일정은 공격적이다. 테라팹은 2028년 하반기 양산을 목표로 하고 있다. 조달 담당자들은 이달 초 일본을 방문해 현지 공급업체를 만나 장비 도입 세부 사항을 조율했으며, 일부 공급업체에는 수개월 내 납품을 요청한 것으로 전해졌다. *The Elec*는 또한 테라팹 측 대표들이 SEMICON West에서 약 10개 한국 소재·부품·장비 기업의 부스를 방문했고, 일부 기업과는 비밀유지계약(NDA)을 체결했다고 보도했다.

로직 칩은 전체 그림의 한 부분일 뿐이다. *Jiji Press*에 따르면 테라팹은 인텔과 협력해 인텔의 2나노 및 1.4나노 공정을 도입하려 하고 있다. 메모리는 사정이 다르며, 어떤 종류의 메모리를 생산할지는 명확하지 않다. 메모리 분야에서는 대만 기업의 기술 지원이 검토되고 있으나 파트너는 아직 지명되지 않았다. 따라서 계획된 웨이퍼의 70%는 공개된 공정 기술이 없는 상태다.

메모리 생산은 보통 DRAM과 NAND 플래시로 나뉘며, NAND는 비휘발성 저장에 쓰인다. 8월에 보도된 테슬라의 테라팹 메모리 공정 통합 엔지니어 채용 공고는 DRAM 공정 통합 전반과 DRAM 노드 개발을 담당하도록 했으며, MRAM, RRAM, 3D DRAM 같은 차세대 메모리도 지원 대상으로 명시했다. 테라팹은 DRAM 생산량을 HBM, LPDDR 등 제품별로 어떻게 나눌지는 밝히지 않았다. 두 제품 모두 AI에 중요하며 채용 공고에도 언급되어 있다. 또한 DRAM을 직접 제조하고 적층할지, 다른 곳에서 조달한 칩을 패키징만 할지도 밝히지 않았다.

미국 땅에 첨단 로직 팹을 짓는 것 자체가 어려운 과제이며, 테슬라와 스페이스X는 반도체 제조 경험이 없다. 머스크 본인도 지난달 스페이스X 컨퍼런스 콜에서 테라팹의 일정을 "매우 공격적"이라고 표현하고, 일정에 "큰 오차 범위"를 두었다고 말했다. 첫 SRAM 테스트 칩은 오스틴 연구시설에서 2027년 5~6월경을 목표로 하고 있다.

TSMC가 어떤 방식으로 참여할지는 아직 열려 있다. TSMC는 자사가 관여하는 팹은 반드시 TSMC가 운영해야 한다고 밝혔다. 반면 머스크는 자신의 기업들이 테라팹을 건설하고 운영할 것이라고 말해, TSMC가 입주 기업에 그칠 수도 있다. 투자 계획은 어느 정도 알려져 있다. 텍사스주 그림스 카운티의 1단계에 169억 달러(약 168억 8천만 달러), 이후 단계가 추진될 경우 최대 1,190억 달러의 총투자가 예상된다. 파일럿 공장은 이르면 2027년 7월에 완공될 수 있다.