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Samsung이 데이터센터 배포를 목표로 하는 Qualcomm의 새로운 AI 가속기용 메모리 및 부품 공급

Qualcomm 데이터센터 가속기 생산 경로 확보, Samsung의 AI 가속기 공급망 진입, Nvidia 생태계 대체 강화
업계 전문지Slicast · 2026년 6월 23일 09:05 UTC · 미국 · 출처: SammyGuru
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Samsung이 AI 데이터 센터 분야로의 Qualcomm의 진출을 뒷받침하는 중요한 역할을 수행하기 위해 준비하고 있다. 한국 기업의 FC-BGA(Flip-Chip Ball Grid Array) 기판이 데이터 센터용 Qualcomm의 첫 번째 AI200 가속기에 전력을 공급할 것이며, 기판의 대량 생산이 이미 진행 중이다.

Samsung Electro-Mechanics는 Samsung의 부품 제조 부문으로서 최근 Busan 시설에서 FC-BGA 기판의 대량 생산을 시작했다. 이 기판들은 플립 칩 범프를 사용하여 고도로 통합된 반도체 칩을 연결하며, PC, 서버 및 자동차용 CPU 및 GPU에 주로 설치된다.

Qualcomm은 지난해 AI200을 데이터 센터용 첫 번째 전용 AI 가속기로 출시했다. 가속기는 사내 Oryon CPU와 Hexagon NPU를 저전력 LPDDR5 메모리와 통합하고 있으며, 낮은 총 소유 비용(TCO) 및 최적화된 성능을 제공하여 AI 워크로드를 지원한다. 회사는 올해 하반기에 AI200을 출시할 예정이다.

Samsung Electro-Mechanics는 Qualcomm과의 오랜 관계를 유지하고 있으며, 이미 IT 기기용 Qualcomm의 응용 프로세서용 패키지 기판을 공급하고 있다. AI 가속기로의 확대를 통해 두 회사는 파트너십을 심화하고 있다. AI200용 FC-BGA의 초기 공급 물량은 크지 않지만, Qualcomm이 생산을 확대함에 따라 크게 증가할 수 있다.

업계 관계자에 따르면, "Samsung Electro-Mechanics와 Qualcomm의 오랜 협력 관계를 고려할 때 AI 가속기용 FC-BGA 공급이 원활하게 진행된 것으로 보인다. Qualcomm은 올해 AI200을 출시할 계획이고 내년에 AI250을 출시할 예정이며, Samsung Electro-Mechanics는 그 결과로 수익원의 다양화로부터 이익을 얻을 수 있다"고 말했다.

AI200용 FC-BGA 기판은 낮음에서 중간 10도대의 내부 레이어로 구성되어 있으며, 구리 회로와 ABF 절연 재료를 사용하여 제작된다. 이와 대조적으로 초고성능 AI 가속기는 20개 이상의 레이어를 포함할 수 있다.

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