Navitas Semiconductor has completed its acquisition of Claros Infotech to expand its AI infrastructure power management and semiconductor portfolio.

나비타스 반도체(Navitas Semiconductor)가 클라로스(Claros) 인수를 완료했으며, 차세대 AI 데이터센터를 위한 집적형 전압 레귤레이터 기술을 통해 전력 반도체 및 전력 공급 포트폴리오를 확대했습니다.

클라로스는 AI 인프라에서 사용되는 프로세서(xPU)에 대한 전력 공급의 최종 단계를 해결하는 집적형 전압 레귤레이터(IVR) 기술을 개발합니다. 클라로스의 IVR 기술 스택은 파워 트랜지스터, 디지털 제어, 인덕터, 커패시터를 단일 장치에 통합합니다. 클라로스는 두 가지 주요 제품 라인인 패키지형 집적 전압 레귤레이터(pIVR) 및 임베디드 집적 전압 레귤레이터(eIVR)를 제공하며, 이는 전력 변환을 프로세서에 더 가깝게 이동하여 더 높은 효율성, 더 빠른 과도 응답, 더 큰 전력 밀도를 가능하게 합니다. 또한 클라로스는 프로세서의 전력 요구사항 증가에 따라 전력 공급을 확장하도록 설계된 모듈식 PowerArray 아키텍처를 개발했습니다.

이 인수는 클라로스의 IVR 기능을 나비타스의 기존 갈륨 질화물(GaN), 고전압 탄화 규소(SiC), 초고전압 SiC 기술과 결합하여 나비타스의 포트폴리오를 완벽한 그리드-xPU 전력 아키텍처 전반으로 확대합니다. 이러한 통합 접근 방식은 AI 데이터센터가 더욱 강력한 프로세서와 메가와트급 서버 랙을 배치함에 따라 점차 중요해질 것으로 예상되는 중요한 전력 효율성 및 밀도 병목 현상을 해결합니다. 이 기술은 AI 데이터센터를 위한 신흥 800V DC 아키텍처를 지원하는 나비타스의 제품과 보완됩니다.

이 인수는 나비타스의 시장 기회를 대폭 확대합니다. 회사는 이 인수가 2030년의 대응 가능한 주소 지정 시장을 80억 달러 이상으로 두 배 이상 증가시킬 것으로 예상합니다. 클라로스는 수직형 전력 공급 및 IVR 시장에서 최소 35억 달러의 기회에 기여하며, 이는 나비타스의 기존 약 35억 달러 규모의 GaN, 고전압 및 초고전압 SiC 관련 대응 가능한 시장과 새로운 JFET 기술과 관련된 약 10억 달러를 보완합니다.

나비타스는 또한 이 인수가 하이퍼스케일러 및 AI 전력 플랫폼 제공업체와의 참여를 심화할 것으로 예상합니다. 회사는 2026년 10월 20일에 "Breaking the AI Infrastructure Power Wall: From Grid-to-xPU"라는 제목의 웨비나 중에 통합 기술 포트폴리오에 대한 추가 세부 정보를 제공할 것입니다.

나비타스 반도체의 회장 겸 최고경영자인 Chris Allexandre는 다음과 같이 말했습니다: "이 인수 완료는 나비타스 2.0 변환 및 그리드에서 xPU까지 AI 인프라에 전력을 공급하는 전략의 결정적인 단계입니다. 이제 전력이 AI의 병목이 되었으므로, 전력 공급 및 효율성의 증대가 더 많은 컴퓨팅 출력의 핵심 활성화요소입니다. AI의 미래는 점차 증가하는 고전력 프로세서에 전례 없는 속도와 정밀도로 수천 암페어를 전달하는 동시에 중앙 집중식 고전력 시스템과 고밀도 아키텍처로 랙을 재정의하는 데 달려 있습니다. 이 '전력 벽'은 메가와트급 서버 랙의 차세대 xPU가 다음 단계의 AI 성능을 달성하는 것을 제한했습니다. 나비타스 2.0은 GaN, 고전압 및 초고전압 SiC, 그리고 이제 IVR 기술을 함께 가져와 전력 벽을 돌파하고 완벽한 그리드-xPU 아키텍처 전반에 걸쳐 전력 변환을 해결합니다. 또한 이 조합은 우리의 대응 가능한 시장을 두 배로 늘리고, 하이퍼스케일러 및 AI 전력 플랫폼 제공업체와의 참여를 심화하며, AI 인프라의 전력 공급에 있어 우리의 역량과 리더십을 강화합니다. AI 전력 수요가 가속화됨에 따라, 우리는 고객에게 더 큰 가치를 제공하면서 지속 가능한 장기 성장을 주도할 수 있는 독특한 위치에 있습니다."