Vertical Semiconductor는 vGaN 트랜지스터 기술 개발을 위해 CHIPS법 지원금 7,300만 달러를 확보했으며, 미 상무부는 소수 지분을 취득한다.

Vertical Semiconductor는 미국 상무부와 CHIPS and Science Act 자금 최대 7,300만 달러를 지원받기 위한 의향서(Letter of Intent)에 서명했습니다.

이 자금은 수직형 질화갈륨(vGaN) 전력 트랜지스터의 개발과 미국 내 생산을 지원하고, AI 전력 인프라와 고성능 컴퓨팅 분야에서 "미국의 리더십을 강화"하는 데 사용될 예정입니다. 자금 지원 계약 조건에 따라 상무부는 이 회사의 지분을 소수, 비지배, 무의결권 지분으로 취득하게 됩니다.

질화갈륨(GaN)은 실리콘보다 더 많은 전력을 처리할 수 있는 와이드 밴드갭 소재로, GaN 기반 칩은 실리콘 칩보다 더 효율적이고 내구성이 뛰어날 수 있습니다. 기존의 GaN은 실리콘 또는 사파이어 기판 위에 평면 방식으로 만들어집니다. 반면 수직형 GaN 반도체는 3차원 구조를 가지고 있어, GaN 기판을 통해 전기를 수직 방향으로 전도할 수 있습니다. 이를 통해 전류는 칩의 표면을 가로질러 흐르는 대신 칩을 관통해 흐르며, 따라서 물리적 면적을 늘리지 않고도 소자의 전압 용량을 높일 수 있습니다.

Vertical Semiconductor는 성명에서, 상업 파트너와 협력하여 vGaN 연구개발을 통해 "업계 최초의 2.5MW급 AI 랙"을 구현할 것이라고 밝혔습니다. 이 랙은 에너지 손실을 30퍼센트 줄이고, 물리적 면적을 50퍼센트 축소하며, "그동안 낭비되던 전기를 연산 능력으로 전환"하도록 설계되었습니다. 이 프로젝트를 통해 회사는 vGaN 트랜지스터를 AI 데이터센터 전력 체인 전반에 적용할 수 있게 되어, 계통(그리드) 및 연산 단계 모두에서 성능을 개선할 수 있습니다.

Vertical Semiconductor의 공동 창업자이자 CEO인 Cynthia Liao는 "전력은 AI 인프라 구축에서 가장 중대한 병목 지점입니다."라며 "이번 CHIPS R&D 지원금은 수직형 질화갈륨에 대한 Vertical Semiconductor의 연구개발과 상용화 계획을 가속화할 것이며, 이는 기존 전력 제약 내에서 미국의 연산 능력을 확장하게 될 것입니다."라고 말했습니다.

상무부의 반도체 투자 및 혁신 담당 이사 Bill Frauenhofer는 "이번 CHIPS R&D 지원금은 전력 반도체 소자와 핵심 소재 분야의 돌파구를 뒷받침할 것입니다. 이러한 기술 전반에 걸친 국내 연구개발을 가속화하면, 전력망, 첨단 데이터센터, 국방 시스템, 그리고 신흥 핵융합 에너지를 위해 전력을 변환하고 공급하는 미국의 역량이 강화될 것입니다."라고 덧붙였습니다.

이 회사는 2024년 Liao, Josh Perozek, Tomas Palacios가 공동 창업했으며, "세계적 수준"의 GaN 연구실로 평가받는 MIT Palacios Group의 연구를 바탕으로 한 MIT 스핀아웃 기업입니다.

2025년 10월, 이 회사는 Playground Global이 주도하고 JIMCO Technology Ventures, Milemark Capital, Shin-Etsu Chemical이 참여한 시드 투자 라운드에서 1,100만 달러를 조달했습니다.