政策 · 报道
Vertical Semiconductor获得7300万美元CHIPS Act资金，用于开发其vGaN晶体管技术，美国商务部将持有其少数股权。
政府在CHIPS Act拨款之外持有股权，表明半导体初创企业正转向国家入股融资模式，这可能重塑美国未来功率半导体及人工智能相关芯片产能的融资方式。
行业媒体Slicast · 2026年10月23日 UTC 14:00 · 全球 · 来源: Data Center Dynamics
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**中文摘要：**
Vertical Semiconductor 与美国商务部签署了一份意向书，拟获得最高 7300 万美元的《芯片与科学法案》资助。资金将用于垂直氮化镓（vGaN）功率晶体管的研发及在美国本土的生产，以加强美国在 AI 电力基础设施和高性能计算领域的领先地位。作为条件，商务部将获得该公司的少数、非控股、无投票权股权。
报道介绍，氮化镓比硅能承受更高功率，效率和耐用性更好。垂直结构的氮化镓器件可以让电流纵向通过衬底，在不增加占地面积的情况下提高电压能力。
公司计划与商业合作伙伴推出“首款 2.5MW AI 机架”，目标是将能量损耗降低 30%、占地面积缩减 50%，并将原本浪费的电力转化为算力。
公司 CEO 兼联合创始人 Cynthia Liao 表示，电力是 AI 基础设施建设中最主要的瓶颈。商务部半导体投资与创新执行主任 Bill Frauenhofer 则表示，此类资助将加强美国在电力半导体和关键材料方面的研发能力。
该公司由 Cynthia Liao、Josh Perozek 和 Tomas Palacios 于 2024 年共同创立，是麻省理工学院（MIT）Palacios 团队研究成果的衍生公司。2025 年 10 月，公司完成 1100 万美元种子轮融资，由 Playground Global 领投，JIMCO Technology Ventures、Milemark Capital 和信越化学参与。
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