中国长鑫存储CXMT在量产HBM3E内存芯片方面取得重大制造突破，在持续出口管制背景下推进了国内半导体自给自足。

据《The Information》最新报道，中国领先的半导体制造商长鑫存储（CXMT）已正式开始HBM3E内存芯片的风险生产。尽管这一里程碑意味着中国晶圆代工厂在技术上仍落后于韩国竞争对手约两代——后者正准备向HBM4E过渡——但这标志着中国国内芯片供应链的重大飞跃，也是减少对外国技术依赖的关键一步。

虽然长鑫存储尚未公开其HBM3E芯片的具体硅规格，但标准的JEDEC指南概述了预期的性能指标。该架构采用1,024位接口，每引脚数据传输率在9.2至12.4 Gbps之间，大多数标准配置的目标工作点为9.6 Gbps。这带来了1.2 TB/s的总带宽，模块容量通过八层堆叠可达24 GB，或通过十二层堆叠达到36 GB。目前，“风险生产”意味着芯片良率几乎可以忽略不计，但长鑫存储有从初步测试迅速直接进入大规模生产的记录。因此，不出几周就能看到高产量制造大幅攀升，这并不令人意外。

这一激进的时间表也延伸至基础设施建设。长鑫存储仅用12个月就建成了晶圆厂洁净室，约为行业标准的一半。该公司目前在合肥和北京运营两座主要的12英寸晶圆制造厂，每月合计生产约20万片晶圆。预计到今年年底，月产量将达到35万片，长期路线图显示，一旦上海和合肥的新设施投入运营，产能将翻三倍至每月60万片。

确保高带宽内存的国内供应有力地支持了中国在人工智能领域保持领先地位的雄心，但也引发了关于消费级DRAM可用性的疑问。长鑫存储最近开始为消费者内存模块提供DDR5芯片，引发了人们对急需的价格下降的预期。然而，由于HBM需要将多个DRAM裸片堆叠到单个封装中，其制造工艺极其耗费资源。如果由人工智能驱动的HBM需求继续激增，长鑫存储不断扩大的晶圆产能可能会被高带宽领域大量吸收。因此，标准消费级DRAM的价格可能会持平，甚至在今年剩余时间里继续上涨。