市场分析显示，中国大陆先进存储制造产能现已在长鑫存储 (CXMT)、长江存储 (YMTC) 和中微公司 (XMC) 之间形成结构性分工，各自占据国内存储供应链的不同细分领域。

据Schulz_Research研究人员指出，中国半导体存储行业已从单一企业的叙事演变为三大关键参与者之间的协同分工：长鑫存储（CXMT）专注于DRAM晶圆制造，长江存储（YMTC）负责NAND生产，同时在其最新设施中增加DRAM生产能力；而由YMTC控制的代工厂芯谋科技（XMC）则负责两家公司芯片的堆叠集成。这种运营分工与北京在去年12月底确立的政策框架相一致，该框架规定新晶圆厂审批必须证明至少50%的设备来自国内供应，仅在没有可行国内替代方案的情况下才给予豁免。武汉长江存储三期项目是首个达到这一门槛的先进存储项目，计划于今年晚些时候投产。

目前，长鑫存储运营着三座300毫米DRAM晶圆厂，每座月产量约为10万片晶圆。预测显示，到2026年底，其月产量将攀升至35万片晶圆，一旦所有宣布的扩建项目完成，总产能将超过60万片晶圆。长江存储最初的两座武汉设施合计拥有每月20万片晶圆的产能。预计第三期将在2027年贡献5万片晶圆，并逐步提升至每月10万片晶圆的满产状态，同时正在规划建设两座同等规模的新晶圆厂。与此同时，芯谋科技运营着两座12英寸设施，每座处理约3万片晶圆，另有一条HBM封装线，每月可处理约3,000片晶圆。

在更广泛的市场格局中，中国目前占全球DRAM位元供应量的约10%。长江存储第二季度占据了全球NAND位元出货量的14%，而中国国内需求吸收了全球存储产量的约30%。

在产品方面，长鑫存储已开始量产DDR5和LPDDR5内存，并计划今年开始大规模生产HBM3，此前已向国内AI硬件开发商交付样品。为支持这些先进封装，芯谋科技投入两年时间开发基于混合键合技术和长江存储堆叠知识产权的HBM封装基础设施。该公司继续推进TSV技术，以进一步提升其高带宽内存能力。