Everspin在SNIA开发者大会展示了CXL连接的MRAM芯片，写入速度较NAND固态硬盘快100倍，已准备好接受客户工作负载测试。

艾芙思平（Everspin Technologies）在2026年SNIA开发者大会上展示了全球首个计算快速链接（CXL）连接MRAM平台，建立了一个位于DRAM和NAND存储之间的持久内存层。该工作系统将CXL的高速连接标准与MRAM无需供电即可保留数据的能力相结合，提供纳秒级、缓存行级的访问速度，写入速度比基于NAND的固态存储快100倍。数据可在断电和系统重启后持久保存，无需电池供电DRAM或立即刷新至SSD。

该演示采用了超微AS-1116CS-TN服务器、AMD EPYC 9355 32核处理器、AMD Alveo U250 FPGA平台与Wolley CXL控制器，以及艾芙思平PERSYST 1GB DDR4 MRAM UDIMM模块。该配置提供了一个基于开放标准的平台，支持通过CXL对持久MRAM进行一致性访问，同时能够在主机间共享和汇聚内存资源——允许持久内存容量根据工作负载需求动态分配。对于AI系统，这为检查点和持久键值缓存等应用创造了机会。

"艾芙思平与数据中心客户合作已有15年，随着AI改变系统的内存需求，我们继续创新，"艾芙思平总裁兼首席执行官Sanjeev Aggarwal表示，"CXL为我们提供了一种标准方法，将持久MRAM引入更广泛的计算平台。我们现在拥有一个工作系统，客户可以运行自己的工作负载，并测量其特定应用的收益。"

在大会上，艾芙思平与Wolley在严苛测试条件下演示了通过CXL接口对MRAM的读写访问。"Wolley通过CXL实现内存和存储连接，与艾芙思平的此次演示展示了如何将持久MRAM引入该环境并具备内存语义，"Wolley首席执行官Dr. Bernard Shung表示，"我们共同演示了一种实用方法，通过CXL连接持久内存并使其可用于当今的计算平台。"

该演示建立在艾芙思平更广泛工作的基础之上，涵盖持久缓存、写入缓冲和元数据应用等新内存架构领域的MRAM扩展。