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SK Hynix 与 Samsung 推进 16 层 HBM4(48GB)量产,直接影响 Vera Rubin Ultra 供应选型

16 层 HBM4 量产提前是 Vera Rubin Ultra 性能上限的"潜在升级期权",但良率依然是关键变量——若 Samsung 混合键合工艺持续落后于 SK Hynix 的 MR-MUF 路线,HBM 市场份额将进一步向 SK Hynix 集中,Micron 则是第三极的变量。

行业媒体Slicast · 2026年10月13日 UTC 21:07 · 全球 · 来源: Wedoany

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SK Hynix 与 Samsung 均将 16 层 HBM4(48GB/颗)量产时间表锁定 2026 年下半年,两家公司于 10月9日前后加速推进封装升级。NVIDIA Vera Rubin 平台基线为 12 层 36GB HBM4,但据悉正评估将 Rubin Ultra 升级至 16 层配置,同时对比 HBM4e 选项以应对产能与良率变数;三家内存厂(SK Hynix、Samsung、Micron)争夺 NVIDIA 的 16 层 HBM 供应合同。Samsung 亦在 OCP 展台展示了 HBM5 路线图及 Processing-in-Memory 芯片。

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