英特尔首席财务官告知投资者，其14A制程的缺陷率降低是自22纳米节点以来最佳制造进展。

英特尔首席财务官大卫·津斯纳（David Zinsner）本周向投资者表示，英特尔下一代14A制造工艺降低芯片缺陷的速度快于该公司自2010年代初备受赞誉的22纳米技术以来开发的任何节点。该芯片制造商还报告称，潜在代工客户对其表现出越来越具体的兴趣。

津斯纳于8月26日在德意志银行2026年科技大会上与该行分析师梅丽莎·韦瑟斯（Melissa Weathers）进行炉边谈话时发表了上述言论。据Tom’s Hardware报道的会议记录显示，津斯纳表示：“当你查看缺陷密度时，14A的表现优于我们为14A设定的目标曲线。”“就我们降低缺陷的速度而言，它也优于之前的任何节点。事实上，自22纳米工艺以来，我们尚未见过如此出色的表现，而22纳米可以说是英特尔推出的最佳节点之一。”

缺陷密度衡量的是制造过程中晶圆上出现的有缺陷结构的数量。在新节点引入时，这一数值通常较高，并随着工艺的成熟而逐渐下降。虽然较低的缺陷密度通常会提高成品芯片正常工作的可能性，但实际制造良率还取决于其他因素，包括芯片尺寸、电路设计以及现有缺陷的具体类型和分布。因此，仅凭缺陷密度并不能直接代表最终良率。

津斯纳将14A与英特尔的22纳米工艺进行比较——后者于2010年代初随Ivy Bridge芯片进入大规模生产阶段，被广泛认为是英特尔最成功的制造节点之一——其依据具体是在每个节点开发时间线的相似阶段（即计划大规模生产前约两年），缺陷降低的速度。这并不意味着14A已经达到22纳米工艺的绝对缺陷水平。一些行业分析师还指出，过去十五年来晶圆检测设备的进步改变了缺陷的测量和检测方式，这使得任何直接的历史比较都更加复杂。

Intel 14A代表了公司在当前18A节点之后的下一次重大进步。它保留了18A引入的全环绕栅极晶体管（gate-all-around transistors）和背面供电（backside power delivery）的根本性转变，同时进一步优化了这两项技术。新节点引入了RibbonFET 2，这是英特尔全环绕栅极晶体管架构的第二代产品，以及PowerDirect，这是对PowerVia背面供电概念的改进，后者通过晶圆背面而非正面信号线旁来传输电力。根据英特尔公布的指标，与18A相比，14A预计在同一功耗下提供15%至20%的性能提升，或者在同等性能下功耗降低25%至35%，同时晶体管密度最高提升30%。这些数字代表英特尔的内部开发目标，而非来自已完成的大批量生产芯片的实测数据。

除了缺陷数据外，津斯纳还指出，近几个月来，关于14A的外部潜在代工客户的讨论语气发生了实质性变化。“我们现在看到内部客户对14A的需求[而且]他们可能是所有人中最具怀疑态度的一群人，”据Tom’s Hardware报道，津斯纳说，“他们现在开始在14A上设计产品的事实也给了我们很大的信心提振。然后，从代工的角度来看，与外部客户的互动显著增加。”他补充说，英特尔首席执行官李宾布（Lip-Bu Tan）和其他公司领导人现在每周都与潜在客户会面，且这些对话已从审查技术性能数据进展到更具体的问题，涉及可用的制造产能和供应时间表。

据Investing.com发布的会议摘要称，英特尔14A的0.9版工艺设计套件（process design kit）——供内部和外部芯片设计师用于为该节点构建产品的一套工具——预计将于10月发布。该公司表示，计划在2027年进行风险生产（risk production，一种在全规模产出之前用于验证工艺的早期制造阶段），并瞄准2028年实现大批量生产。

尽管围绕14A技术进步的氛围更加积极，但英特尔尚未宣布与该节点的主要具有约束力的外部客户合同，而这一里程碑此前被该公司描述为其长期代工战略的关键。英特尔在其2025年年度报告中披露，鉴于运营领先制造节点所需的巨额资本成本，如果无法获得重要的外部客户承诺，可能需要暂停或停止14A及后续工艺的开发。到了其2026年第二季度报告时，这种措辞有所缓和，英特尔承诺完成14A的开发，同时引用了针对潜在大型客户的相关技术里程碑的进展。

津斯纳的发言与英特尔在财务和制造战略方面的更广泛更新相吻合。在进行了约230亿美元的股权融资后，公司将2026年的资本支出指引从之前的180亿至200亿美元上调至200亿美元。英特尔还确认，其现有的18A工艺良率高于内部目标，并详细说明了扩大多个设施制造产能的计划，包括明年将其位于爱尔兰的Fab 52工厂的产量翻倍以上，并加速其在亚利桑那州的Fab 62工厂的工作。