SanDisk与Kioxia正推进新NAND晶圆厂投资以扩大存储产能。扩展NAND生产对于支撑现代AI训练与推理工作流所需的高密度存储架构至关重要。

铠侠（Kioxia）与闪迪（SanDisk）计划在日本投资超过310亿美元（约合5万亿日元），以扩大NAND闪存产能，此举得到了日本政府的支持。这两家公司的合资企业目前在三重县四日市（最大的厂区）和岩手县北上市运营NAND晶圆制造厂。铠侠负责运营这些工厂并生产NAND晶圆，而合资企业则负责设施融资并购买产出，其中约60%分配给铠侠，40%分配给闪迪。

铠侠总裁兼首席执行官太田弘夫表示：“这项联合投资进一步加强了我们与闪迪的长期合作伙伴关系，并凸显了铠侠为推动人工智能驱动的社会发展做出贡献的坚定承诺。铠侠将继续满足对大容量、高性能且节能的闪存日益增长的需求，这对于人工智能驱动社会的增长至关重要。我们衷心感谢日本政府迄今为止提供的支持，并认识到其持续的战略支持对于进一步巩固我们全球竞争力的重要性。”昨天，太田弘夫与首相高市早苗以及闪迪首席执行官兼董事长大卫·格克尔会面。据《朝日新闻》报道，太田弘夫向记者表示，他预计政府补贴将覆盖总投资额的三分之一左右。

高市早苗首相给出了支持但非承诺性的回应：“政府热烈欢迎这一为期六年、总额达5万亿日元的进一步投资计划。我们高度期望，通过两家公司的合作，能够进一步扩大下一代存储半导体在日本的开发与制造。”格克尔补充道：“符合我们的业务战略和财务指引，这些计划中的投资将确保我们能够支持客户对我们技术日益增长的需求，同时为我们运营的社区提供新的经济机遇，并成为美日经济合作的典范。”

四日市厂区拥有六座工厂（Fab 2至Fab 7），而北上市则运营Fab 1和Fab 2。新的资本将用于两个地点的基础设施扩建及相关技术投入。目前，一座新的Fab 3正在建设中，预计于2029财年投产，成本约为113亿美元（约合1.8万亿日元）。然而，并未指定在四日市建设额外的工厂，这使得5万亿日元拨款中相当大一部分在公开披露中未得到明确说明。

针对相关猜测，铠侠发表声明称：“近期有媒体报道关于铠侠株式会社（本公司合并子公司）北上市工厂新建制造设施的事宜。这些报道并非由本公司或其子公司发布的公告。本公司正在考虑包括建设新设施在内的多种方式，以稳步且可持续地提升企业价值。”

两家公司均强调，此次投资取决于日本政府的持续支持。从即日起至2032年，这笔资金旨在“进一步加强两家长期建立的合资企业，并推动有意义的多年期闪存供应”。此前，该公司于今年1月宣布将其合资协议延长五年，至2034年12月31日止；本月初又确认了两家工厂的NAND制造产能扩张。此次扩张的动力在于预测显示，受人工智能推动的NAND和固态硬盘（SSD）需求将在未来十年或更长时间内保持高位。

这一举措与更广泛的行业产能扩张趋势相一致。SK海力士也在增加NAND晶圆制造，此前在市场低迷期间暂停后，已恢复在中国大连Solidigm工厂2号的建设。在韩国，SK海力士计划于2027年2月在清州动工建设新的M17 NAND工厂，占地面积为206,000坪（约合680,000平方米）。与此同时，美光科技正推进其在新加坡的Fab 10B 3D NAND扩建项目，投资额达240亿美元。今年1月，该公司已在现有的北海岸晶圆厂园区开始施工。