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据报道,随着SK海力士的客户转向8-Hi(8层堆叠)产品,高带宽存储器价格预计将上涨121%。

121%的涨幅表明高带宽存储器供应持续紧张,加速器厂商的物料成本也将随之上升。
行业媒体Slicast · 2026年11月5日 UTC 12:34 · 美国 · 来源: FourWeekMBA
重要度 75

无法完整翻译这篇报道,以下为保留全部数字与机构名的中文摘要:

**HBM价格正在追赶传统DRAM**

据Counterpoint Research 11月5日发布的数据,HBM价格正在追赶传统DRAM。TrendForce预计,2027年HBM的综合平均售价(ASP)将同比上涨121%。SK hynix于10月28日向分析师表示,由于供应紧张,部分客户正转向8层(8-high)HBM堆叠。

**TrendForce的预测**

- 9月29日,TrendForce上调了2027年HBM价格展望,理由包括持续的供应约束、价格更高的HBM4占比上升,以及HBM4e在2027年下半年逐步放量。

- GPU和ASIC厂商正考虑减少单个设备的HBM容量,原因是"HBM供应有限、系统成本快速上升",而非终端需求减弱。

- TrendForce预计2027年HBM市场仍将供不应求。

**8层与12层的对比**

- TrendForce预计,2027年8层堆叠每GB的价格溢价约为10%–20%。

- 报道作者按同等单die容量计算,8层堆叠的价格约为12层的73%–80%,但这一估算是作者自行推算,并非TrendForce的结论。

**传统DRAM与NAND**

- TrendForce于9月30日预计,2026年第四季度传统DRAM合约价环比上涨10%–15%,涨幅较年内早些时候放缓;NAND Flash合约价预计上涨15%–20%。

- 服务器DRAM预计第四季度仍将供应不足;企业级SSD是唯一预计价格涨幅将加速的存储品类。

**Counterpoint的数据**

- 第三季度HBM收入几乎翻倍,但其在DRAM收入中的占比仍下降,因为DDR和LPDDR收入分别同比增长500%和接近400%。

- 研究总监MS Hwang表示,今年落后于普通DRAM的HBM价格"现在正在追赶"。

- 长期协议正在支撑价格;由于主要新晶圆厂要到2028年才投产,供应将保持紧张。

- Counterpoint估计第三季度DRAM收入接近2000亿美元。

**更新(11月5日):汽车供应商的芯片涨价警告**

德国汽车供应商Aumovio SE警告,受AI数据中心需求推动,半导体价格明年将大幅上涨。Bloomberg援引其临时财务负责人Claus Bauer的说法,芯片短缺对汽车行业供应的影响在2027年将"爆发"。报道标题提及"十亿欧元"的成本冲击,但作者仅读到文章开头,无法确认该数字的口径。

**结论**

Counterpoint与TrendForce从不同角度描绘了同一市场:传统DRAM在今年领涨,HBM价格正在追赶;TrendForce预计2027年HBM综合均价将大幅上涨,并给出8层堆叠的每GB溢价。

**注意事项**

121%是TrendForce对市场综合均价的预测,并非任何供应商公布的价格。第四季度合约价数据来自9月30日的新闻稿。HBM与合约价预测来源于TrendForce 9月29日和30日的新闻稿;DRAM结构数据与Hwang的引语来源于Counterpoint 11月5日的发布;SK hynix的电话会议内容转引自10月31日的韩国媒体报道。

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据报道,随着SK海力士的客户转向8-Hi(8层堆叠)产品,高带宽存储器价格预计将上涨121%。 · Slicast