Micron和SK Hynix被列为新型NRAM基金中的顶级持股，因为AI内存需求激增。

AI投资已经超越GPU的范畴，随着高带宽内存(HBM)需求激增，内存被定位为数据中心建设中的关键基础设施。这一转变催生了新的ETF机会：Yorkville America Equities在周四推出了Yorkville America Next Generation Memory Index ETF（纽交所代码：NRAM）。

NRAM追踪YA MarketVector下一代内存指数，该指数涵盖20家从事物理内存技术设计、开发、制造和供应的公司。主要持仓包括美光科技(纳斯达克代码：MU)占16.44%、SK海力士(纳斯达克代码：SKHY)占15.10%和闪迪(纳斯达克代码：SNDK)占14.82%，在希捷科技控股公司(纳斯达克代码：STX)和西部数据公司(纳斯达克代码：WDC)中也有重要仓位。

该基金推出之际，内存市场正进入一个潜在强劲的周期。HBM需求与AI加速器的联系日益紧密。未来资产证券公司预计，随着芯片制造商推进HBM4技术并扩大每个加速器的内存容量，HBM需求将保持强劲。AMD的MI455X预计将搭载12个HBM4堆栈和432GB内存，而英伟达的Rubin平台配备288GB。

至关重要的是，需求正在超越英伟达的范围扩散。Meta平台和微软正在其定制AI加速器中增加HBM容量，扩大了内存制造商的客户基础。SK海力士、三星电子和美光在HBM市场中占据主导地位。根据Counterpoint Research，在第二季度，SK海力士占有50%的收入份额，而三星为33%，美光为18%。

HBM供应紧张也在影响中国的AI芯片市场。据路透社报道，华为将其Ascend 950DT的价格上调了高达50%，而寒武纪将其下一代芯片的价格上调了20—30%。

Roundhill Memory ETF(BATS代码：DRAM)已提供对内存和存储公司的有针对性敞口，其最大持仓包括三星电子、SK海力士和美光，以及闪迪、希捷和西部数据。DRAM提供更集中的内存周期敞口，而NRAM则分散在更广泛的生态系统中。

如需更广泛的半导体敞口，投资者可以关注VanEck半导体ETF(纳斯达克代码：SMH)和iShares半导体ETF(纳斯达克代码：SOXX)，这两只基金除了持有内存公司外，还持有英伟达、高级微器件公司(纳斯达克代码：AMD)、博通公司(纳斯达克代码：AVGO)和其他半导体名称。iShares MSCI韩国ETF(纽交所代码：EWY)提供了另一条路径，SK海力士和三星在其最大持仓中。

随着AI加速器变得越来越需要内存，而HBM供应仍然受限，内存价格上升，芯片制造商争相扩大产能，AI周期的下一阶段将越来越依赖于为这些处理器供应内存的公司。