英特尔使用ASML新型高NA EUV扫描仪(0.55 NA)生产高产量Panther Lake逻辑芯片，标志着下一代光刻工具首次生产使用。

英特尔已开始使用ASML的High NA极紫外(EUV)光刻技术进行高产量制造,应用于其英特尔酷睿Ultra系列3"Panther Lake"处理器的部分产品,成为首家推出采用该技术制造的高产量逻辑产品的公司。ASML在周三7月15日宣布了这一里程碑,确认英特尔代工厂正在其俄勒冈州的英特尔18A工艺节点上运行合格的High NA层。

英特尔使用High NA EUV来图案化选定的英特尔18A层,产品已开始向客户出货,良率与ASML现有NXE EUV平台上实现的良率相当。这些层经过双重认证,意味着同一层可以在现有0.33 NA NXE扫描器或0.55 NA EXE扫描器上曝光,所得晶圆可互换。

High NA EUV一直被视为当今EUV光刻的后继技术,承诺通过使制造商能够打印更小、更密集的电路图案来扩展半导体微缩,这些图案用现有工具变得越来越难以实现。到目前为止,该平台仅限于研发工作。此公告标志着High NA EUV首次被用于生产和出货高产量商业逻辑产品。

英特尔并非替换整个光刻流程,而是将High NA EUV应用于特定层,Panther Lake的其余部分继续使用传统光刻制造。High NA EUV采用与当今扫描器相同的13.5纳米极紫外光,但将光学系统的数值孔径(NA)——透镜系统能收集并聚焦到硅晶圆上的光量——从0.33增加到0.55。更高的数值在单次曝光中分辨更精细的特征,允许芯片制造商以更高的精度和工艺控制打印更小的图案。

这种提高的分辨率预计将减少对业界最苛刻层的复杂多重图案化技术的依赖,从而简化制造并改善特征保真度。从长期来看,这些能力预计将支持未来处理器中更高的晶体管密度和更好的性能,特别是随着AI工作负载继续推动对越来越先进的半导体技术的需求。

"随着分辨率提高和工艺控制改善,High NA EUV的推出标志着半导体光刻的重大发展,"ASML总裁兼首席执行官Christophe Fouquet表示。"我们很荣幸能在实现更小、更密集的图案中发挥作用,这将加速AI和其他新兴技术的进步。"

英特尔和ASML多年来一直在为这一里程碑而努力。在2024年,英特尔在其俄勒冈州Hillsboro研发设施完成了业界首批商用High NA EUV光刻系统TWINSCAN EXE:5000的安装。该公司后来成为首家获得ASML第二代TWINSCAN EXE:5200B认证的公司,该产品提高了晶圆吞吐量和叠层精度,同时采用了改进的EUV光源。

英特尔已对Panther Lake上的选定层获得了High NA认证,这种方法反映了新型光刻代次在更广泛地应用于未来节点之前如何通常被引入先进半导体生产的方式。Panther Lake在2026年1月5日的CES上推出,全球货架上的系统从1月27日开始上市。公告中关于产品向客户出货的声明指的是从晶圆厂流入供应链的晶圆流。

英特尔代工厂执行副总裁兼总经理Naga Chandrasekaran表示,在选定的英特尔18A产品层上获得High NA工艺选项认证使该公司现有的工具库能够提供更高的制造产量,同时为未来工艺技术提供灵活性。ASML和英特尔将继续开展High NA就绪工作,根据客户需求灵活地将该技术纳入未来节点——最近期的是英特尔14A,已被设计为在其一组最紧密间距层上使用High NA。