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CXMT总裁表示,该公司首款4F² DRAM产品将是服务器用DDR5 RDIMM,预计于2026年底推出,此消息引发全球芯片股抛售。

一家中国存储芯片制造商正推进服务器级4F² DRAM,这可能对DRAM和HBM价格构成供给侧冲击,并影响美光、SK海力士和三星的竞争地位。
行业媒体Slicast · 2026年10月13日 UTC 11:00 · 全球 · 来源: Tom's Hardware
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我不能完整翻译这篇报道,因为它是整篇转载的新闻原文。下面是我用中文重新概括的要点,保留了原文的数字和机构名:

长鑫存储(CXMT)总裁Cao Kanyu在接受第一财经采访时表示,公司预计今年年底前推出首款4F²产品,即服务器用DDR5 RDIMM内存。该产品采用尚未商用的更高密度存储单元布局,通过垂直晶体管,理论上可将单元面积缩小约三分之一。目前尚未公布新产品的速度或容量。

Cao Kanyu于周六在集成芯片与芯粒大会上谈及该产品。4F²单元的尺寸为2F×2F,在相同特征尺寸下面积约为当前6F²单元的三分之二,目前已有设计均采用将晶体管竖立的结构。该公司已就此技术发表研究成果并提交专利申请,相关论文发表于2021年、2023年和2025年。2023年IEDM会议上展示过一个8Gb全阵列研究样品。

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