SK Hynix申报通过纳斯达克ADR上市融资至多29.65亿美元，所有收益专项用于先进AI内存晶圆厂和EUV工具采购。

SK海力士周三向韩国金融监督服务部门和美国证券交易委员会提交证券注册声明，计划通过纳斯达克全球精选市场的美国存托凭证上市筹集至多45.45万亿韩元（294.3亿美元），上市定于7月10日进行。该公司表示，全部所得将用于工厂和设备的投资。此次发行涵盖1779万股新发行普通股，将成为有史以来规模最大的美国存托凭证发行之一。

SK海力士已为用途划分资金，包括在龙仁集群建设其第一个晶圆厂、在清州建造一座先进封装厂，以及购置包括极紫外扫描仪在内的芯片制造设备。这些获得融资的项目都无法及时生产内存以缓解仍在推高价格的短缺。SK海力士占据约57%的HBM市场和32%的全球DRAM市场，董事长崔泰源多次表示，人工智能需求将使供应保持紧张直到2030年。

申报文件列出了SK海力士已承诺且现通过公开市场融资的三个目标项目。龙仁半导体集群中的第一座晶圆厂代号为Y1，初期阶段的承诺投资为31万亿韩元（215亿美元），定于2027年2月左右完成，设备安装将在第二季度进行。清州P&T7先进封装厂是一个价值19万亿韩元（129亿美元）的项目，专门用于HBM组装和测试，已于4月破土动工，应在2027年底完成。两个工厂都需要极紫外光刻，SK海力士在3月与ASML下达创纪录的79亿美元订单，涵盖至2027年的约30台扫描仪。

每10份美国存托凭证代表一股普通股，最终的每份美国存托凭证价格将在7月10日上市前不久通过簿记确定。SK海力士表示融资总额可能与45.45万亿韩元的上限有所不同。美银证券、花旗集团、高盛和摩根大通正在管理此次发行。监管审查预计将在7月3日前完成，新股将在7月29日在韩国交易所上市。

龙仁晶圆厂和清州封装厂都将在2027年达到量产。公司在6月初确认了美国存托凭证计划，同时承诺在五年内将晶圆产能翻倍，董事长崔泰源承认这一时间表对缓解短缺的帮助不大。由于三家内存制造商将晶圆产能向HBM倾斜，DRAM合约价格在2026年全年保持上升，HBM每吉字节消耗的硅是标准DDR5的约三倍。

公告发布两天前，SK海力士超越三星电子，成为韩国最具价值的上市公司，结束了三星26年的排名第一纪录。披露后，其在韩国上市的股票在盘后交易中上涨5.5%。