一位台湾业界资深人士预测，CXMT将在两年内冲击内存市场。

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**要点概述**

- **专家观点**:被称为"台湾DRAM产业教父"的高启全表示,台积电无法制造3D DRAM。他认为存储器制造所用的工艺技术与逻辑芯片根本不同,仅有先进逻辑制造经验不足以支撑DRAM量产。台积电早年曾涉足部分DRAM相关工艺,但后来未继续发展。

- **另一种看法**:半导体专家Frederick Chen博士认为,台积电可以开发新型后段制程(BEOL)存储产品。

- **台积电的技术方案**:台积电在2025年提出一种基于氧化物半导体、采用1T1C单元结构的存储架构,将存储阵列集成到逻辑芯片的后段互连层中,而非制造独立的DRAM芯片。该设计采用低温工艺以保护互连层,据称其存储密度可高于通常每位需六个晶体管的SRAM。

- **中国大陆竞争对手**:高启全表示,长鑫存储(CXMT)正在大幅扩产,规划新建晶圆厂,目标总产能约每月60万片晶圆,预计到2028年将影响存储器供需。他认为长鑫在先进工艺上可能仍落后于领先厂商,并质疑其转向4F2存储单元架构时面临的电容结构和漏电问题。

- **4F2架构**:该设计将存储单元的晶体管与电容垂直堆叠,可将单元面积缩小30%至40%,存储单元密度提高30%至50%。

- **台积电管理层表态**:台积电联席首席运营官Kevin Zhang在2026年全球管理对话上表示,市场对其先进制程芯片的需求"永不满足"。

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