韩国法院裁定，中国内存制造商 CXMT 利用名为 Project Hefei 的书面路线图，复制了三星 DRAM 的 620 步制造工艺，从而占据全球 10% 的市场份额。

涉及中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）涉嫌窃取三星商业机密的案件在韩国法院持续发酵，目前已有多起定罪，包括两名前三星工程师被判入狱。据韩国媒体NoCut News引用的泄露法庭文件显示，最新进展围绕“合肥项目”展开，这是一份 purported 的长鑫存储路线图，详细规划了技术“收购”、人员挖角和生产流片等长期计划。该策略似乎直接促成了长鑫存储在全球DRAM市场中占据10%份额的崛起。

检方指控，“合肥项目”构成了长鑫存储整个DRAM开发计划，由该公司研发负责人——一名前三星DRAM研发主管——于2016年8月左右牵头启动，此时距长鑫存储2016年6月成立仅两个月。据称，这份蓝图制定了严格的时间表：2016年9月前获取三星的工艺配方计划（PRP），2016年10月前招募关键三星工程师，2017年7月前完成研发，并于2018年8月开始以每月1万片的速度生产DRAM晶圆。据报道，PRP数据集包含620个DRAM制造步骤，涵盖设备、耗材和生产方法的详细数据。

2016年8月，长鑫存储最初试图仅依靠新招聘的三星工程师的记忆来制造18纳米晶圆。当这些记忆被证明不足时，该公司据称非法获取了三星的PRP，并于2016年9月起草了自己的技术文档。这份内部版本包含了特定的设备供应商和型号，以及三星独有的工艺开发笔记。当分发给关键专家——其中许多是前三星员工——时，该文档立即被识别为源自韩国企业。作为本案证人，因在加入长鑫存储前手动复制部分PRP而被判七年徒刑的前三星研究员全某证实了这些细节。

始于2024年1月的法律程序不仅仅是一起简单的商业间谍案。历史上，DRAM市场一直由“三大巨头”三星、美光和SK海力士主导。长鑫存储于2016年6月在合肥成立，获得约19亿美元政府投资，据称初期缺乏任何研发设施或研究计划。从零基础设施和机构专业知识过渡到DRAM晶圆生产仅需两年多时间，这将是史无前例的；建立一家功能齐全的内存制造厂通常需要两到四年，几乎没有独立研究的空间。尽管如此，长鑫存储在2019年声称其全新设计的8Gb DDR4芯片完全自主研发，属于“跨越式、独立”技术，并开始本地销售。

激增的人工智能驱动需求催化了长鑫存储的爆炸性增长，使其估计的全球DRAM市场份额从2025年第二季度的4%扩大到2016年第二季度的约10%。这一转变标志着十多年来“三大巨头”集体控制的市场份额首次低于90%。目前，长鑫运营着三座12英寸晶圆制造厂，预计到年底将合计生产35万片晶圆——几乎接近美光37.5万至38.5万片的产量。该公司还计划在北京建设第二座制造厂，目标是在投产后月产量超过60万片。

长鑫的财务指标反映了快速扩张。仅在2026年第二季度，其收入就飙升了716%，其在上海证券交易所科创板进行的2026年7月IPO使其股价上涨466%，估值达到86亿美元，成为中国股市最有价值的芯片制造商。大约70%的资金用于进一步的DRAM生产扩张，而非更复杂的高带宽内存（HBM）。尽管如此，长鑫已向阿里巴巴旗下平头哥和寒武纪供应HBM3E样品，而三星和SK海力士正推进HBM4的生产。独立研究表明，长鑫有望在2030年前占据DRAM市场30%的份额，并预计在2026年达到与美光相当的内存容量。

截至2025年12月，韩国检方计算长鑫涉嫌活动给三星造成的损失为“至少数万亿韩元”。以此为基础推算，目前的估计表明这一数字可能接近40万亿韩元（约合295亿美元），并继续呈指数级增长。如果指控属实，长鑫的行为代表了一场地缘政治规模的经济事件，从根本上改变了半导体格局。