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SK Hynix承诺投资29亿美元,通过重大美国上市和ADR扩展来扩大AI级HBM内存生产

关键内存带宽瓶颈缓解;HBM产能大幅扩张以支持GPU和加速器部署
行业媒体Slicast · 2026年6月27日 UTC 08:20 · 美国 · 来源: The Eastern Herald
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个月前,SK海力士在悄悄讨论一项估值约140亿美元的美国上市计划。当该公司本周确认其计划时,估值已增长至296.5亿美元。这一飙升反映了自3月以来AI基础设施支出如何急剧加速,以及SK海力士现在在全球AI投资周期中的中心地位。

这家韩国存储芯片制造商周三表示,计划在纳斯达克全球精选市场上出售美国存托凭证,交易预计将于7月10日开始,但需获得监管部门批准。按照发行范围的上限,该发行规模将超过沙特阿美2019年256亿美元的首次公开募股以及阿里巴巴2014年218亿美元的纽约首次亮相,成为历史上最大的ADR交易。账簿建立正在进行中,最终定价尚未确定;296.5亿美元的数字代表上限,而非确认的结果。

资金的预期用途是明确的。每一美元都将用于资助实体制造产能:扩展朝鲜半岛上的龙仁半导体集群、建设致力于高带宽存储的清州P&T7先进封装设施,以及从荷兰设备制造商ASML收购极紫外光刻扫描仪,其技术界定了先进芯片生产的前沿。单一的EUV工具成本约为3.8亿美元。SK海力士打算收购多套设备。

这种紧迫感直接来自于英伟达。SK海力士提供集成到英伟达H200和B200 AI加速器芯片中的HBM3E堆栈,这些处理器是运行Google Gemini、ChatGPT和可比系统的数据中心的核心。该公司控制全球高带宽存储市场的约60%,其整个HBM供应直到2026年都已完全签订合同。不存在任何价格的备用库存。英伟达需要比目前存在的更多的这些芯片,SK海力士必须建设晶圆厂来生产它们。

这一约束条件在披露上市计划时推动SK海力士在首尔交易所的股票上涨12%——这是市场对控制全球增长最快硬件类别中最关键组件价值的评估,而非当前收益。TrendForce预计AI内存超级周期将维持HBM价格溢价至少到2027年,这使得SK海力士的市场地位价值远高于其AI前估值所反映的价值。

该发行将每股普通韩国股票转换为10份ADR,为美国机构和零售投资者提供直接的美元计价敞口,无需通过韩国交易所。该公司表示,预计纳斯达克上市将扩大其投资者基础,并使其"真实企业价值得到恰当评估"——这是一个尖锐的评论,考虑到SK海力士历来以市盈率基础上对美光科技的折扣交易,尽管其在AI内存市场中持有更大份额。缩小这一估值差距是上市的明确目标。

持有高带宽存储第二大头寸的三星电子在将其HBM3E芯片认证到英伟达规格方面一直在苦苦挣扎,因此已放弃市场份额。美光科技持有HBM供应的剩余部分,上周报告其生产也已完全售罄至2026年,并预计季度收入为500亿美元。内存市场是一个三方寡头垄断,其中所有供应商都在满产运作,无一能满足增量需求,最大的供应商现在正寻求300亿美元来建立更多产能。

这一动态已向消费电子产品级联。正如苹果和微软上周在提高Mac电脑、iPad和Xbox游戏机价格时所展示的那样,AI基础设施需求已挤出消费电子公司所依赖的标准DRAM供应。SK海力士的新晶圆厂在理论上可以缓解一些压力,但龙仁集群旨在为AI客户生产HBM,而非为笔记本制造商生产DRAM。消费电子行业的内存短缺将持续,直到AI需求增长放缓,或者三星缩小其HBM认证差距并释放主流DRAM生产。

韩国政府已将半导体列为其工业战略的中心,为龙仁集群提供税收激励和基础设施支持,SK海力士的上市所得将部分资助该集群。这次上市不仅仅是融资;这是公司及其政府关于半导体制造领导力在未来十年将在何处决出胜负的声明:在AI内存堆栈中、在EUV光刻的前沿,以及这样的上市才能支持的规模。

仍然不确定的是最关键的变量:HBM超级周期是否会持续。内存芯片市场有周期性历史,远超其他几乎所有半导体类别。DRAM和NAND已经经历了以年为单位的繁荣-衰退周期。HBM迄今为止之所以避免了这些动态,仅仅是因为供应相对于激增的AI需求来说真正不足。如果超大规模云计算公司的资本预算收缩、英伟达的下一代芯片被证明比H200更节能、或三星比市场预期更快地缩小认证差距,这种态势可能会改变。在这些转折点,296.5亿美元融资所基于的经济学将会看起来相当不同,SK海力士是否已锁定了领先地位还是借用了其峰值将成为紧迫问题。

市场将从7月10日开始对这个问题进行定价,届时SK海力士ADR将在纳斯达克开始交易,全球市场地位最大的内存芯片制造商将可供每位美国零售投资者使用。那个早上最重要的数字不是296.5亿美元。而是ADR实际交易的价格。

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