Nvidia 据报考虑削减 Rubin Ultra 芯片的 HBM 容量以应对持续的内存短缺，反映生产计划因供应瓶颈面临的约束。

据报道，NVIDIA正在考虑大幅降低即将推出的Rubin Ultra GPU的HBM容量，远低于Jensen Huang在去年开发者大会上宣布的规格。当Huang推介Rubin Ultra时，他强调了每个GPU上1TB的HBM4E内存分布在16个堆栈中。但是，熟悉测试的消息人士表示，NVIDIA在最近几周内至少运行了三种不同的Rubin Ultra变体，其中一些样品的内存大幅降低，范围从192GB到256GB。一些配置甚至已经改用HBM4而非更新的HBM4E规格，并采用比原计划更少的内存堆栈。

根本原因是生产瓶颈：内存制造商无法足够快地生产HBM4E以满足Rubin Ultra的原始时间表。因此，NVIDIA正在探索更低的规格以保持其生产计划。这反映了整个行业类似的内存调整，包括降低RDIMM容量以及NVIDIA的Vera Rubin超级芯片上SOCAMM模块的削减。

对于NVIDIA这样规模的公司来说，围绕内存可用性重新设计其旗舰芯片凸显了内存短缺的严重性，并给SK Hynix和Samsung相当大的筹码。行业观察人士预计HBM价格的上升将持续。

与此同时，Samsung电子公司已经确定了下一代HBM产品的DRAM路线图。该公司计划部署10nm级第6代(1c) DRAM作为HBM4和HBM4E的核心芯片。对于HBM5E（第9代HBM标准），Samsung计划过渡到10nm级第7代(1d) DRAM。这种错开的工艺节点过渡使Samsung能够在将下一代主要HBM世代投入新工艺之前成熟1d的产率，同时保留1c作为可靠的备选方案。

Samsung电子公司上月启动了其P5 Phase 1设施的主要施工，并已开始认真部署洁净室设备。在7月，该公司与Shinsung E&G签署了一份价值15.6亿韩元的洁净室产品供应合同，有效期至2026年2月20日。