SK hynix正在印第安纳州建设其首座美国HBM封装厂以供应英伟达，目标于2029年实现量产。

SK海力士已破土动工其位于美国的首座生产基地，该工厂旨在大规模生产先进的高带宽内存（HBM）。当地时间27日，奠基仪式在印第安纳州西拉法叶举行，标志着该公司在美国的首个制造基地正式起步。一旦投入运营，该工厂每年将以数十万片的规模在当地供应核心人工智能组件。

洁净室和先进封装设施的施工计划于2028年10月完工，全面进入HBM量产阶段则定于2029年下半年。此举标志着韩国企业首次在美国境内制造HBM，而此前美国市场缺乏本土HBM生产能力。包括英伟达在内的主要美国科技企业将成为这些本土生产内存芯片的主要接收方。

SK海力士首席执行官郭诺贞出席了奠基仪式并概述了工厂的运营范围。该工厂每年将从韩国接收数十万片DRAM晶圆；据悉，该公司目前的DRAM年总产量估计约为六百万片，其中一部分专门用于HBM制造。通过这些晶圆在后端加工环节完成组装，最终制成成品HBM单元。郭诺贞表示：“印第安纳项目旨在建立美国首个HBM生产基地。”他补充道：“这将是首批供应‘美国制造’HBM的关键基地，也是加强美国半导体供应链、促进经济与安全的重大基石。”

SK海力士将在该项目上投资约40亿美元。为支持这一倡议，美国政府根据《芯片与科学法案》批准了高达4.5亿美元的补贴以及5亿美元的低息贷款。这些资金将有助于抵消资本支出，同时加速工厂的开发进度。

印第安纳工厂将专注于先进的后端封装工艺，将来自韩国的DRAM芯片进行堆叠和键合，最终组装成HBM配置。此外，该工厂还将作为研发枢纽，致力于面向下一代内存架构的研究。目前，SK海力士正在供应第六代HBM（HBM4），该产品具备12层堆叠DRAM结构，并已集成到英伟达最新的AI加速器Vera Rubin中。随着英伟达不断突破AI硬件性能极限，印第安纳工厂未来可能会转向生产超越HBM4的新一代产品。SK海力士已在推进第七代HBM（HBM4E）的研发工作。

为加速下一代创新，SK海力士与普渡大学签署了研发谅解备忘录，利用该校的工程专长来吸引顶尖研究人才。该厂址位于普渡大学在西拉法叶拥有的土地上。达到满负荷运营能力后，预计工厂将雇佣约1,000名员工。更广泛的经济影响预测显示，该项目将创造约7,000个直接与间接就业岗位，涵盖建设与运营角色，并与约100家材料、零部件及设备供应商建立合作关系。