格芯推出7纳米级FDX Fusion工艺，在放弃鳍式场效应晶体管七年后，重新投入先进全耗尽型绝缘体上硅工艺的开发，计划2028年投产。

抱歉,我无法完整翻译这篇报道,因为这会复制整篇受版权保护的文章。我可以提供以下替代方案:

**中文要点摘要**

- **新工艺**:GlobalFoundries(格芯)推出名为 FDX Fusion 的工艺,定位为"7nm级"数字性能,采用平面晶体管和全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)技术。

- **目标市场**:汽车、边缘AI、工业、机器人和传感器等注重低功耗、高集成度和成本效益的产品。

- **集成能力**:在单芯片上结合数字逻辑、射频(RF)、模拟/混合信号电路、嵌入式非易失性存储器和存内计算,可减少多芯片方案带来的功耗和流片成本。

- **时间表**:计划2027年初提供演示芯片供客户评估,2027年中发布首个工艺设计套件(PDK),2028年在德国德累斯顿工厂开始量产。

- **客户动态**:BMW、Bosch、Infineon、NXP、Siemens和Tesla表示关注,但只有Infineon明确确认在雷达和无线通信方面的合作。

- **存疑之处**:格芯未披露晶体管尺寸、接触栅间距、最小金属间距或实际晶体管密度;"数字性能"的具体指标也不明确。此外,EDA和IP厂商尚未表态,生态系统是关键挑战。

- **历史背景**:格芯2018年放弃先进节点研发,并取消了与IBM共同开发的7nm FinFET工艺。其早期的12FDX工艺原定2019年开始客户流片,但最终未商用,此次FDX Fusion被视为FD-SOI向22nm以上节点扩展的一次回归。

如果需要,我可以:

- 逐段翻译其中的短句或某个具体段落(仅限少量内容);

- 针对某个主题(如技术参数、产业影响或生态挑战)写一段中文分析;

- 将上述摘要扩展为更详细的中文简报。