芯片与硬件 · 报道
尽管长鑫存储(CXMT)宣称产能提速,MU、SNDK和SKHY等存储股仍出现反弹。
长鑫存储称产出提速,在存储价格反弹之际增加了中国DRAM供应竞争,这将影响DRAM和HBM的定价走势。
行业媒体Slicast · 2026年10月25日 UTC 01:00 · 美国 · 来源: Stocktwits
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**长鑫存储(CXMT)第五代技术平台G5进入量产**
- 合肥长鑫存储宣布,其第五代技术平台G5已进入量产。该平台可降低成本、提升先进存储芯片性能并降低功耗。三星电子、SK海力士和美光科技长期主导全球存储芯片市场,此举或将增强中国在该市场的地位。
- 据南华早报报道,G5使用四重图形化(quadruple patterning)工艺,将存储单元区域关键特征的间距缩小至11.95纳米。
- 以8Gb芯片为基准,G5每片晶圆可产出的芯片数量比上一代至少多50%。
- 该公司同时发布两款基于G5的24Gb LPDDR5X产品,面向智能手机和便携电子设备,容量比其previous同类产品高50%,两款产品均已量产。
- 据TrendForce数据,长鑫存储在全球DRAM营收中的份额从第一季度的7.6%升至第二季度的9.5%,位列第四,次于三星、SK海力士和美光。其第二季度DRAM营收环比增长99.3%。
- 市场分析认为,长鑫扩产可能对美光、闪迪和SK海力士形成竞争压力,尤其是若中国供应商借助产能和成本优势加大价格竞争。但短期内这一威胁不太可能改变当前供需格局:AI基础设施投资推动了DRAM、HBM和高容量服务器内存需求,而据TrendForce,行业库存仍处于低位。
- 近期存储股大幅上涨:周五美光收涨3.9%,闪迪涨11%,SK海力士美股股价涨2.5%至187.50美元。Stocktwits上散户情绪对美光为"中性",对闪迪和SK海力士为"看跌"。