Kioxia和SanDisk演示全球最高密度3D NAND闪存，332层活跃层和37 Gbit/mm²面积密度。

铠侠和闪迪在未来内存与存储大会上推出了他们最新的BiCS10 3D QLC NAND芯片。这款新型存储设备在存储密度方面实现了重大进步，单位面积密度达到37 Gb/mm²，是迄今为止正式推出的世界上最密集的3D NAND存储设备。这超越了他们之前的BiCS 3D TLC NAND产品，后者的单位面积密度超过29 Gb/mm²。

BiCS10 3D QLC NAND芯片集成了332层活跃层，支持最高4,800 MT/s的接口速度，具备独立命令地址(SCA)功能。虽然铠侠和闪迪尚未公开该集成电路的实际容量，但业界推测基于与上月推出的1 Tb BiCS10 3D TLC NAND芯片的对比，其容量应该达到约1.33 Tb。

这款新型闪存集成电路针对高容量数据中心级固态硬盘，旨在最大化存储密度同时保持良好性能。为了支持这些要求降低功耗的苛刻应用，铠侠和闪迪采用了其功率隔离低抽头终止(PI-LTT)技术。这一技术在不影响信号完整性的前提下降低了高速输出驱动器的功耗。

BiCS10 3D QLC NAND设备采用铠侠和闪迪最新的BiCS10工艺技术制造，在达到目标良率后，相比竞争对手的高密度3D QLC NAND产品，可以实现记录级的比特密度并降低成本。这一成本优势将使两家公司能够以低于竞争对手的价格提供超高容量固态硬盘，或以相同价格获得更高利润。

"通过重新定义QLC NAND的性能和效率范围，我们的第10代BiCS QLC 3D闪存实现了密度、带宽和能效的同步提升，为高容量闪存存储建立了新范式，为下一代基础设施应用提供了可扩展的基础，"闪迪首席技术官阿尔佩尔·伊尔克巴哈表示。

铠侠和闪迪主要将其BiCS10 3D NAND设备定位于数据中心级存储应用，特别是需要容量和性能兼具的AI导向固态硬盘。这些集成电路在近期是否会进入消费级固态硬盘市场仍然存在不确定性。