中国积累了343套深紫外(DUV)光刻系统,美国敦促盟国关闭出口管制漏洞。

中国芯片制造商无法获得先进的极紫外（EUV）光刻设备，已转向大规模采购深紫外（DUV）光刻系统。美国华盛顿的安全与新兴技术中心（CSET）新发布的报告估计，到2026年初，中国晶圆厂累计已获得343套DUV系统。美国前出口管制官员以这些发现为据，论证美国和荷兰应对相关设备、零部件和售后服务的出口实施全面限制。

该分析揭示了当前西方管制措施的漏洞：荷兰已限制某些高端DUV设备的出口，但逐案审查和型号差异仍允许中国公司继续获取工具。虽然DUV不如EUV先进，但多重图案化技术使制造商能够生产7纳米逻辑芯片以及AI处理器所需的先进存储设备。报告主张，战略风险不能仅根据工具的原始预期用途来评估。

该报告于9月26日发布，由前美国出口管制官员尼古拉斯·布朗（Nicholas Brown）与前白宫及商务部技术政策顾问赛义夫·卡汗（Saif Khan）共同撰写，估计在343套DUV系统中，约270套是ASML的Twinscan NXT:1980i型，另有22套NXT:2050i型、6套NXT:2100i型和45套低端DUV系统。

中国公司在2024年花费超过130亿美元采购NXT:1980i，在2025年又额外增购89套。这种采购激增反映在ASML的收入结构中：中国在2024年占该公司净销售额的41%，2025年占33%。

由于中国无法合法进口ASML最先进的EUV设备，芯片制造商已转向尚未被全面限制的DUV型号。报告辩称，这些工具可以进行改造，并与多重图案化工艺结合使用，以支持先进芯片生产，并可能制造AI加速器组件。

自2023年9月起，荷兰政府要求ASML获得NXT:2000i及更高端DUV系统的出口许可，实际上禁止了这些型号向中国的直接出货。管制措施在2024年9月扩大至NXT:1980i，但出口仍可通过逐案审查获得批准。报告作者主张，这种监管设计形成了政策漏洞：名义上供成熟工艺节点生产的设备可以被重新配置、转移或整合到先进制造工艺中。

作者建议美国和荷兰协调一致，全面禁止对华DUV出口，同时限制设备维护、零部件更换和技术支持。报告警告，如果盟国未能迅速采取一致行动，中国对DUV系统的持续获取可能逐步削弱美国及其盟国在AI芯片领域的制造优势。

报告估计，若中国保持每年约进口90套NXT:1980i的速度并克服其他工艺瓶颈，到2035年可能建成年产4.34亿套AI芯片的产能——性能相当于英伟达H100。即使中国从2027年起被完全禁止进口新设备，现有库存也可支持年产能达1.53亿套AI加速器，尽管这些预测取决于晶圆、零部件、产率和其他制造要素的突破。

美国国会两党议员于4月推出《配套法案》（Match Act），该立法着重限制中国无法轻易自主生产的芯片制造设备和相关服务，明确涵盖DUV系统。数位参议员在9月重新呼吁推进该法案，表明华盛顿对中国通过第三方渠道或个别许可获取设备的担忧日益升温。

报告还建议，如果美国无法获得荷兰的全面配合，应考虑将出口管制扩展至包含美国技术的外国制造系统。只有同时限制设备供应、维护和升级，美国才能减少中国利用现有工具扩展先进芯片产能的能力，并确保未来先进晶圆厂保持集中在美国及其盟国。

对于ASML而言，中国市场仍然是重要的收入来源，尽管进一步的出口限制可能压缩设备和服务收入。对于中国芯片产业而言，现有DUV库存提供了一定的缓冲，但本身无法解决材料、工艺控制和大规模生产良率等问题。争论焦点已从是否限制EUV转变为如何界定哪些DUV设备可在先进制造工艺中进行改造和部署。