SK海力士预计Q2 2026年利润创纪录，由AI超级周期的DRAM、NAND和HBM需求驱动。

SK海力士预计在7月29日公布财报时，将宣布第二季度营业利润创纪录地达到约64万亿韩元，这是根据多家大型证券公司的估计。这代表从第一季度营业利润3.76万亿韩元的戏剧性改善，反映了其三大产品线——商用DRAM、NAND闪存和高带宽内存（HBM）——难得一见的同步增长。不同于以往仅由HBM驱动盈利能力的周期，本季度被描述为"全方位超级周期"，各个内存品类的价格同时上升。

**DRAM和NAND价格引领利润改善**

14家证券公司的共识估计第二季度销售额约为84万亿韩元，营业利润为64万亿韩元，营业利润率高达80%，相比第一季度的约76%有所提升。证券分析师将这些强劲结果主要归因于价格升值而非销量增长。高波证券估计第二季度DRAM出货量仅环比增长8%，而平均售价跃升36%。IBK证券同样估计DRAM平均售价增长32%。

NAND闪存从全球AI基础设施扩张中获益巨大。来自北美云服务提供商扩大AI数据中心投资带来的企业级SSD需求大幅提升，NAND价格已大幅上升，估计表明NAND价格在第二季度单季就上涨超过45%。KB证券研究部负责人金东元指出，"随着HBM产品组合的扩大，商用内存的供应容量将实际保持有限"，并补充说"随着长期协议份额的上升，对大科技和AI数据中心的销售比例预计将扩大至70%"。用于HBM生产的DRAM产能受限作为持续的价格催化剂而发挥作用。

**向HBM4过渡的步伐将决定下半年业绩**

对于下半年，向HBM4的代际升级代表最大的变数。SK海力士在2月份建立了HBM4的量产能力，并已开始为英伟达下一代"韦拉·鲁宾"AI加速器供应12层HBM4产品。公司计划在下半年供应HBM4E（第七代）样品，利用10纳米级第六代工艺，全面量产计划从2027年开始。

SK海力士在HBM市场上保持绝对领先地位。LS证券报道称SK海力士上月已开始向主要客户供应12层HBM4E样品，并实现了每引脚高达16 Gbps的数据传输速率，同时继续利用其先进的大规模回流成型底层填充技术，该技术已在大规模应用中得到验证。高波证券预计SK海力士将占据HBM3E市场的绝对份额，并在HBM4市场中获得超过60%的份额，随着长期协议普遍性的不断扩大，为降低盈利波动性和延长周期长度提供了可见性。

**海外投行在升级步伐上存在分歧**

国际投行总体保持积极态度，但信心程度不一。一季度财报公布后，高盛将二季度DRAM价格预期从40%上调至50%，NAND从30%上调至45%。花旗证券提高了其2026年年度营业利润预期，理由是对AI推理的内存需求激增和AI代理带来的数据生成增加。野村证券预计2026年营业利润共识将超过250万亿韩元，由企业盈利和ROE扩张推动。

然而，摩根士丹利质疑了估值上调的步伐。该公司指出DRAM价格上升减速、库存改善趋于稳定，以及其所称的每股收益修正的峰值，暗示内存芯片制造商的盈利动能可能已经达到平台。TrendForce数据表明商用DRAM合约价格环比上升幅度预计在中个位数百分比范围内，相比前一季度60%的增幅明显放缓。国内证券公司反驳称，仅基于价格增速放缓就得出业绩达峰的结论为时尚早，主张随着长期协议渗透率的扩大，盈利波动性正在缓解。