美国国防部向芯片厂商Wolfspeed承诺$15亿、30年期有条件贷款,用于扩产氮化镓(GaN)外延及抗辐射碳化硅(SiC)芯片产能。

沃夫斯皮德公司(Wolfspeed Inc.)根据10月7日的公告,已从美国国防部战略资本办公室(Office of Strategic Capital)获得条件性的30年期15亿美元贷款承诺信。这笔资金将支持该公司升级氮化镓(GaN)外延能力,并为当前碳化硅(SiC)和未来氮化镓(GaN)产品开发抗辐射加固能力。

沃夫斯皮德制造碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)材料和器件,计划将这笔资本部署于其描述为对国家安全至关重要的应用领域:国防、航空航天、通信基础设施和电子战系统。首席执行官罗伯特·费勒(Robert Feurle)表示:"碳化硅和氮化镓具有关键国家安全应用前景。通过这笔融资,公司将处于良好位置,不仅能够继续为国防部服务,还能扩展其能力,造福美国国家安全整体。"

根据贷款条款(以最终协议为准),沃夫斯皮德将向国防部发行认股权证,用于购买其最多7.5%的完全稀释后权益。认股权证将以该股票的成交量加权平均价格定价,并随着每笔贷款分期资金到位而按比例分配。该承诺仍具有条件性,需待战略资本办公室完成尽职调查,以及获得政府批准、拨款和沃夫斯皮德现有贷款人的同意。该公司提醒称,融资最终成交没有保证。

首席财务官格雷戈尔·范·伊瑟姆(Gregor van Issum)将该承诺描述为"我们持续优化沃夫斯皮德资本结构和改善财务基础努力中的又一个重要里程碑",并指出预计将提供长期资本来支持战略优先事项并改善财务灵活性。

这一公告代表了美国加强国内半导体制造的一系列努力中的最新举措。通过542亿美元的《芯片与科学法案》(CHIPS and Science Act),政府已向包括台积电(TSMC)、英特尔(Intel)、格芯(GlobalFoundries)和美光(Micron)等行业领导者的主要晶圆厂投入数十亿美元。政府还部署了《第48D条先进制造投资税收抵免》(Section 48D Advanced Manufacturing Investment Credit),该抵免提供25%的税收抵免,已促使私营部门投资公告超过8270亿美元。