Pure Storage推出采用英特尔傲腾和QLC的闪存存储模块。

Pure Storage本周对其全闪存储阵列产品线进行了扩展，推出了两种不同的产品：DirectMemory模块（将英特尔Optane存储级内存与Pure Storage的DirectMemory缓存软件相结合以提升性能）和FlashArray//C（一条新的容量优化产品线，采用低成本QLC闪存技术）。这次双重扩展是在Pure Storage于德克萨斯州奥斯汀举办的Pure Accelerate 2019会议上公布的，同时还展示了与英伟达合作设计的AIRI平台的额外人工智能功能以及扩展的多云功能。这家总部位于加州山景城的公司战略副总裁Matt Kixmoeller将此次公告描述为"过去10年来内存技术演进的下一步"。

DirectMemory模块直接插入Pure Storage的FlashArray//70和FlashArray//90旗舰高性能全闪存储阵列中，为在线事务处理和在线分析处理等应用提供显著的性能改进。根据Kixmoeller的说法，这些模块可将存储延迟降低25%至50%，并可将CPU利用率降低高达25%。该软件允许这些模块与现有阵列无缝集成："DirectMemory模块可以直接插入FlashArray中以提供即时的性能提升。无需任何配置。它充当阵列的读取缓存。80%的阵列至少可获得20%的延迟降低，40%的阵列可获得30%至50%的延迟降低。"Kixmoeller强调了一个关键应用优势，指出SAP HANA可以通过DirectMemory模块以便宜65%的价格实现主机内存90%的性能。

FlashArray//C面向容量密集型应用，这些应用对性能要求不高，首次使全闪数据中心在经济上变得可行。FlashArray//C采用低成本QLC闪存，代表了Kixmoeller所称的"行业首个容量优化的全闪存储阵列"。性能与Pure Storage的其他型号相差显著：FlashArray//X的延迟在几百微秒范围内运行，而FlashArray//C则在2毫秒至4毫秒范围内运行，就延迟而言代表了五倍至十倍的性能差异。该阵列的最小容量为1PB，在9U的空间占用内可扩展至5PB。

FlashArray//C适用于包括低成本灾难恢复、测试和开发环境以及VM分层等应用，VMware存储基于策略的管理工具可实现应用在FlashArray//X和FlashArray//C阵列之间根据性能需求的自动迁移。Pure Storage渠道合作伙伴ePlus的地区销售副总裁Mark Gonzalez（ePlus总部位于弗吉尼亚州赫恩顿）将这一新产品称为游戏规则改变者，他指出客户寻求"以低于磁盘存储的成本获得闪存的可靠性、低功耗和性能"。DirectMemory模块和FlashArray//C都于Pure Accelerate 2019会议举办的当周开始提供。