ITIF报告显示中国在先进产业投资6115亿美元，而南韩仅投资74亿美元，突显半导体和先进技术产能建设的巨大差异。
韩国目前凭借高带宽内存（HBM）在人工智能（AI）内存市场占据领先地位。然而，一项新的分析警告称，如果中国生产规模持续扩大，韩国更广泛的先进产业基础根基可能会受到侵蚀。报告强调，半导体繁荣不能仅局限于个别企业的业绩表现，而应将国家工业竞争力延伸至材料、设备和服务领域。
根据美国信息技术与创新基金会（ITIF）于14日发布的报告，2018年至2022年间，中国在汉密尔顿指数（Hamilton Index）追踪的十大先进行业中的增加值生产增长了6115亿美元（约合824万亿韩元）。同期，韩国仅增长74亿美元（约合10万亿韩元），差距超过80倍。
汉密尔顿指数基于增加值，衡量计算机和电子、电气设备、机动车辆、化学品、机械和设备、金属制品、基本金属、其他运输设备、制药以及IT和信息服务等十个战略重要先进行业的生产与专业化程度。由于2022年是现有经合组织（OECD）数据中最新的年份，该报告使用这些数据作为反映产业结构的“结构性基准”，并叠加过去一年的贸易和政策数据以追踪不断变化的趋势。
2022年，韩国在这些领域的增加值生产总额达到4204亿美元（约合567万亿韩元），占其国内经济的25.1%。其综合区位商（LQ）——一种衡量特定产业在国家经济中集中度的指标——为2.17，在ITIF分析的39个国家中排名第二，仅次于台湾。仅在计算机和电子领域，产量就达到1336亿美元（约合180万亿韩元），其区位商高达5.27。
核心担忧在于，中国正在迅速扩大韩国保持竞争优势领域的生产规模。在计算机和电子领域，中国2022年的增加值生产达到3857亿美元（约合520万亿韩元），超过了韩国的总量。2018年至2022年间，韩国在该领域的产出收缩了7.6%，而中国则扩大了6.2%。同样，在电气设备领域，韩国2.68的区位商高于中国的2.11，但绝对生产差距依然巨大：中国录得2616亿美元（约合353万亿韩元），而韩国仅为298亿美元（约合40万亿韩元）。
尽管如此，韩国在尖端AI内存领域的统治地位仍无可撼动。报告估计，SK海力士今年第一季度占据了全球HBM市场58%的份额，三星电子和美光科技各占21%。“韩国在尖端AI内存方面并未被超越。其优势明显，”ITIF总结道。
然而，报告警告称，半导体繁荣不能作为更广泛工业生态系统的安全网。“风险并非突然的产业崩溃，而是逐渐侵蚀，”报告指出，并注意到中国正准备夺取材料、设备、零部件和制造能力日益增长的份额。
中国追赶HBM：技术差距缩小至三年
事实上，即使在驱动韩国半导体部门核心的HBM领域，与中国的 technologically 差距也已大幅缩小。根据韩国半导体行业协会的数据，韩国与中国在HBM上的技术差距已缩短至三年，DRAM为两年，NAND闪存为一年。曾经估计超过五年的差距实际上已压缩到不到一代产品的距离。
中国长鑫存储（CXMT）目前正与国内无晶圆厂公司包括阿里巴巴子公司平头哥合作测试第五代HBM，即“HBM3E”。该公司计划最早于明年部署利用该技术的产品。HBM3E仅落后于三星电子、SK海力士和美光科技目前正在生产的HBM4一代。
中国在HBM开发方面的进展尤其令人担忧，因为这是在严格的美国制裁下取得的。虽然极紫外（EUV）光刻设备对于先进的HBM制造至关重要，但出口管制阻碍了中国获取EUV工具。对此，中国制造商转向后端工艺的突破，特别是半导体堆叠、键合和异构集成。长鑫存储已将长江存储（YMTC）开发的“X-tacking”三维NAND闪存键合技术纳入其HBM架构。通过直接键合两个晶圆以缩短电路间距离，该方法在不依赖EUV光刻的情况下扩展了带宽并减轻了热输出。
来自商品内存市场的强劲现金流进一步加速了中国的追赶努力。随着三星电子和SK海力士将产能重新分配给HBM和服务器内存等高利润的先进产品，商品DRAM出现供应短缺，导致今年第一季度价格环比上涨98%。长鑫存储抓住了这一缺口，将其在全球DRAM市场的份额扩大到第二季度的10%，是一年前4%的两倍多。上半年，长鑫存储营收同比激增873.6%，达到1503.1亿元人民币（约合30.2万亿韩元），其第二季度营业利润率82%超过了SK海力士（76%）和三星电子半导体部门（70%）。
ITIF提出“世界首创创新”及韩日合作作为解决方案
为了应对这些挑战，ITIF主张追求“世界首创”的创新。报告敦促韩国与盟国合作扩大供应链和生产规模。报告还建议加大对大型企业的研发税收激励，并加速下一代内存和封装、AI半导体、先进电池、机器人和工业软件的商业化。
“韩国无法在每个先进行业都建立比中国更多的生产能力，但它仍然可以在创新方面保持领先，”ITIF指出。
日本被确定为主要合作伙伴。2022年，韩国机械设备领域的增加值生产为424亿美元（约合57万亿韩元），日本为1304亿美元（约合176万亿韩元），中国为4301亿美元（约合580万亿韩元）。报告计算称，合并韩国和日本的生产量会将中国在细分领域的优势从约10倍压缩到3倍以下。与美国和欧洲的战略对齐也被认为至关重要。
关于国家支持，报告建议通过生产力指标、供应商商业可行性、出口表现和企业扩张来评估成功，而不是仅仅关注资本注入。报告还敦促政策制定者利用当前的半导体繁荣，使该国处于下一个技术周期的前沿。
资本市场看到对HBM及材料/零部件/设备投资的需求不断增长
与此同时，韩国资本市场正在回应市场对HBM和半导体供应链敞口的激增需求。15日，韩华资产管理宣布即将上市两只新的交易所交易基金（ETF）：“PLUS韩国HBM半导体”和“PLUS AI半导体材料、零部件及设备主动型”。
“PLUS韩国HBM半导体”基金将其投资组合的约50%分配给三星电子和SK海力士，剩余50%分布在八家国内半导体材料、零部件和设备公司：PSK、V M、TES、Wonik IPS、Simmtech、Jusung Engineering、Isu Petasys和Daeduck Electronics。鉴于机构信心强劲，预计全球HBM市场规模将从去年的350亿美元（约合47万亿韩元）增长到今年的680亿美元（约合92万亿韩元），并在明年超过1000亿美元（约合135万亿韩元）。
“PLUS AI半导体材料、零部件及设备主动型”基金是一只主动管理型基金，允许基金经理动态选择半导体供应链公司并根据市场状况调整配置。其主要持仓包括Isu Petasys、Intekplus、Doosan、ISC、SFA Semicon、TES、D I、PSK Holdings、Simmtech和Hansol Chemical。
韩国内存巨头激进的资本支出计划进一步推动了国内材料、零部件和设备部门的增长预期。三星电子今年计划投入超过110万亿韩元（约合816亿美元）用于设施和研发，而SK海力士已 outlining 总投资承诺约为54.3万亿韩元（约合403亿美元），涵盖其龙仁Y2和清州M17园区。
半导体设备制造商韩美半导体（Hanmi Semiconductor）也通过客户多元化 bolstering 盈利增长预期。